作者：郑行望,贺云,谢勇霞 单位：中国化学会;中国科学院长春应用化学研究所 出版：《》 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFFXHX1999120110 DOC编号：DOCFXHX1999120119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 以CTMAB修饰碳糊电极将砷钼杂多酸固定于碳糊电极表面，使其表面形成了杂多酸薄膜.该电极对4.00&#215；10~(-6)～1.00&#215；10~(-3)mol/L范围的砷钼杂多酸有能斯特响应，斜率为47.5mV/pAs(v)，从而可间接测定砷。

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