《硅钨酸修饰ISFET的研究》PDF+DOC
作者:李先文,黄强
单位:信息部电子46所;天津市电子学会
出版:《半导体杂志》1998年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTZ802.0010
DOC编号:DOCBDTZ802.0019
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用硅钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,制成药物敏感场效应晶体管(DrugFET)。该传感器对一些药物有良好的响应,用其分析药物制剂的含量,结果和药典方法相一致。
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