作者： 单位：信息产业部电子科学技术情报研究所 出版：《电子科技文摘》1999年第10期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDKWZ1999100460 DOC编号：DOCDKWZ1999100469 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • Y98-61460-92 9915112互补金属氧化物半导体数字剂量计=Digital CMOSdosimeters[会，英]/Garcia-Moreno，E.//1998 IEEE2nd International Caracas Conference on Devices.Cir-cuits and Systems.—92～97(YG)研究了几种辐射剂量计，这些剂量计用作对集成电路中因辐射泄漏导致的工作失常危险进行量化的嵌入式传感器，它们是与运用 PMOSFET 传感器的传统技术相匹配的。文中主要讲了两种类型的传感器：第一种叫门限剂量计，当辐射总剂量超过预定值时，它的二进制输出就会改变其状态；另一个是一种新的嵌入式剂量计，依辐射剂量而改变频率。还给出了它们的工作特性，电路结构及实验结果细节。参8

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