作者:姚素英,毛赣如,曲宏伟,张维新,张荣 单位:四川固体电路研究所 出版:《微电子学》1997年第05期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFMINI705.0080 DOC编号:DOCMINI705.0089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《半导体高温压力传感器的研究》PDF+DOC1996年第02期 毛赣如,姚素英,曲宏伟,张维新 《多晶硅高温压力传感器的芯片内温度补偿》PDF+DOC2004年第01期 庞科,张生才,姚素英,张为 《高温压力传感器温度特性的芯片内补偿技术》PDF+DOC2002年第02期 曲宏伟,姚素英,张生才,赵毅强,张为 《一种多晶硅高温压力传感器》PDF+DOC1998年第06期 张荣,曲宏伟,王涌萍,阎富兰,崔金标,田莉萍,张维新 《多晶硅压力传感器温度自补偿性能研究》PDF+DOC1997年第03期 姚素英,毛赣如,曲宏伟,张维新 《多晶硅压力传感器》PDF+DOC1996年第03期 张维新,毛赣如,姚素英,曲宏伟 《高温高精度压力传感器》PDF+DOC1994年第04期 黄特伟,吴启民 《硅片键合制备超稳高温压力传感器》PDF+DOC1990年第02期 孙国梁 《掺杂浓度对多晶硅电阻温度系数的影响》PDF+DOC1990年第06期 石争,毛赣如 《多晶硅高温压力传感器的温度特性》PDF+DOC2002年第01期 张为,姚素英,张生才,曲宏伟,刘艳艳,张维新
  • 分析研究了多晶硅电阻对半导体高温压力传感器温度特性的影响,找到了改善传感器温度性能的最佳途径。研制出工作温度为250°C、压力量程为0~1MPa、灵敏度大于40mV/mAMPa的传感器。

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