作者：C.A.Castro,顾聚兴 单位：中国科学院上海技术物理研究所 出版：《红外》1996年第05期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWAI1996050010 DOC编号：DOCHWAI1996050019 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 在生长用于焦平面列阵的高质量(Hg，Cd)Te薄膜方面，液相外延(LPE)是优先选用的技术。在生产环境中成功执行这一流程需要研究先进的传感器和流程控制技术，这样可以提高产量，降低成本。本文将评论得克萨斯仪器公司的智能处理焦平面列阵计划所取得的进展。(Hg，Cd)Te液相外延薄膜是在(111)B取向的(Cd，Zn)Te衬底上生长的，衬底放在盛有大量(4500g)碲镉汞熔液的垂直浸渍反应中。在一个生长周期中，总面积为54cm~2的多个(多达8个)衬底可通过反应器。为这种生长流程而正在研制的传感器和控制技术包括：(1)用以探测液相外延生长熔液液相线温度的涡流分析(ECA)，(2)用来在生长之后立即快速测量薄膜组分的电子束微探针波长色散x射线分析(WDX)，(3)用以测定生长熔液上汞分压的紫外/可见光光学吸收光谱学，(4)基于电阻温度器件(RTD)的精确温度控制系统，该系统可使温控能力从&#177；0.1℃提高到&#177；0.02℃。人们发现，涡流分析敏感样品液相外延熔体中正在冷却的结晶作用的开始。波长色散x射线分析技术是一种用来测量生长过程中薄膜组分的快速而精确的测量方法。本文讨.....。

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