作者: 单位:北京信息科技大学 出版:《传感器世界》1997年第04期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGSJ1997040080 DOC编号:DOCCGSJ1997040089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 1月14日下午,国家科委高技术研究发展中心组织在京部分专家和北京赫达公司有关人员前往中国科学院半导体研究所微电子中心,听取了该所承担的“安全气囊用硅加速度传感器”项目的进展汇报.涂湘征研究员简要介绍了项目的研究内容、工艺设计及取得的部分阶段性成果,同时分析了存在的问题及难点。

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