《新型传感器——Z-元件》PDF+DOC
作者:毛兴武
,刘雪琴
单位:机械工业信息研究院
出版:《电气时代》1996年第09期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDQSD1996090000
DOC编号:DOCDQSD1996090009
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《Z-元件——有待开发的传感器》PDF+DOC1998年第04期 孙健
《基于磁敏Z元件触觉传感器的研制》PDF+DOC2000年第03期 王福君,刘莉
《一种新型力敏传感器Z元件的特性分析》PDF+DOC1999年第04期 刘莉,赵杰,蔡鹤皋
《轨道用磁敏定点接近开关传感器的研究》PDF+DOC1996年第07期 李俐,李云晖
《Z—效应半导体传感器》PDF+DOC1996年第02期 庄玉欢
《金属薄膜磁电阻传感器的制备及特性》PDF+DOC1985年第02期 刘殿臣,黄青青
《强磁性金属薄膜磁敏电阻》PDF+DOC1989年第05期 孟庆波
《现代机器控制中新型传感器的考虑方法》PDF+DOC1980年第01期 莫昌桂
《国外半导体传感器的发展趋势》PDF+DOC1973年第01期
《霍尔元件在角位移传感器中的应用》PDF+DOC2012年第04期 刘荣先
以俄罗斯传感器专家教授姓的第一个音命名的Z-元件,全称叫Z-效应半导体传感元件,这种全新型的举世瞩目的传感器,是根据教授在1983年圣诞节前夜进行某种实验时发现的一个奇特现象,经过长达两年多的分析研究而取得的一项重大发明。当时前苏联对该元件极为重视,将其列为国家最高机密,对外界严加封锁。苏联解体之后,教授才在国内和世界公开该项发明,并先后在俄俄罗斯、欧共体、日本和美国获得了专利权。
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