作者：张坤,温志渝 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》1997年第06期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ1997060090 DOC编号：DOCHWYJ1997060099 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 文中讨论了非晶硅光电二极管及CCD器件的设计考虑。用α－Si：H光电二极管构成CCD器件的光敏元，提高了光敏单元填充因子，并提出了图像传感器的结构和制作工艺。

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