作者:J.Jayapandian 单位:美国国际数据集团 出版:《电子产品世界》1997年第07期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZCS1997070580 DOC编号:DOCDZCS1997070589 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《分立型功率MOSFET结温估计的非线性热网络模型和参数辨识方法》PDF+DOC2019年第12期 万萌,应展烽,张伟 《西安真丰电子有限公司》PDF+DOC2001年第07期 《低温温度传感器的辐照效应》PDF+DOC1997年第02期 张平 《RTD到RS-232的接口》PDF+DOC1997年第02期 W.Stephen Woodward,冰 《AD590温度传感器在远方检测中的应用》PDF+DOC1994年第06期 解明芳 《使用热敏电阻器的温度报警电路》PDF+DOC 刘建平 《耐高温变换器研究进展及综述》PDF+DOC2016年第04期 谢昊天,秦海鸿,董耀文,徐华娟,付大丰,严仰光 《扩散硅压力传感器》PDF+DOC1983年第01期 彭斯福 《全面了解数字温度传感器规范》PDF+DOC2009年第09期 RudyeMc Glothlin 《AlGaN/GaN型气敏传感器对于CO的响应研究》PDF+DOC2008年第07期 冯春,王晓亮,王新华,肖红领,王翠梅,胡国新,冉军学,王军喜
  • 在场效应晶体管的很多线性应用中,FET用作为高 V_(DS)(即漏-源 电压)的恒流器件或低V_(DS)的欧姆律电阻。在夹断前的区域中,FET起着电压可变电阻器的作用。 当正向偏置时,此器件的转移特性(V_(GS)对Id)呈现r_(DS(on))(漏-源导通电阻)随结温(Tj)的线性变化。此特性表明FET在大约- 40℃~+ 150℃范围内可用做温度传感电阻器(TSR)。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。