《杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅰ──磷钨酸 FET 的制备和应用》PDF+DOC
作者:李先文,黄强
单位:广东工业大学
出版:《广东工业大学学报》1997年第S1期
页数:3页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDGX7S1.0390
DOC编号:DOCGDGX7S1.0399
下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《硅钨酸FET分析麻黄碱的研究——杂多酸修饰离子敏感效应晶体管的研究Ⅲ》PDF+DOC1998年第02期 李先文,黄战龙,黄强
《杂多酸修饰离子敏感场效应晶体管的研究Ⅱ──硅钨酸 FET 的制备和应用》PDF+DOC1997年第S1期 李先文,黄强
《DrugFET 的研究(X):β—CD 修饰离子敏感场效应晶体管的研究与应用》PDF+DOC1998年第01期 李先文,黄西潮,黄强
《药物敏感场效应晶体管的研究 Ⅲ磷钨酸-麻黄碱敏感场效应晶体管的研制与应用》PDF+DOC1998年第04期 李先文,黄西潮,黄强
《DrugFET的研究(Ⅳ).硅钨酸-麻黄碱FET的研制与应用》PDF+DOC1998年第03期 李先文,黄强
《利多卡因FETS的研制与应用》PDF+DOC1998年第03期 李先文,黄强,呼世斌
《一次性丁氯喘半导体传感器的研究》PDF+DOC1997年第04期 黄西潮,李先文,黄强,黄战龙
《小檗碱敏感场效应晶体管的研制与应用》PDF+DOC 李先文,黄强
《基于ISFET的阿托品传感器的研究》PDF+DOC 李先文,杨伯伦
《阳离子表面活性剂FET化学传感器的研究》PDF+DOC2001年第02期 刘亚强,李先文,王大伟,姚焕英
用磷钨酸修饰离子敏感场效应晶体管,并用其分析盐酸麻黄碱。传感器对麻黄碱的能斯特响应范围是1.0×;10-1~3.0×;10-5mol/L,斜率为58mV/PC,适宜pH范围为3.0~8.0,检测下限为1.0×;10-6mol/L.用其分析盐酸麻黄碱片剂含量,分析结果和药典方法相一致。
提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。