作者:程开富 单位:中国电子科技集团公司第十三研究所 出版:《微纳电子技术》1997年第06期 页数:9页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTQ706.0030 DOC编号:DOCBDTQ706.0039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 主要介绍以硅为衬底的非本征硅、金属硅化物(Pd2Si,PtSi和IrSi)肖特基势垒红外探测器、GexSi1-x/Si异质结内光电发射红外探测器、硅基红外图象传感器、硅微测辐射热计等红外探测器焦平面阵列的新进展

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