作者:王幼学,于恩涛,秦永烈 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1995年第03期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1995030030 DOC编号:DOCYBJS1995030039 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文着重介绍了通过可靠性加速寿命试验建立起来的硅霍尔传感器失效率模型的方法。该模型填补了国内空白。并为我国在“八五”期间硅霍尔传感器的可靠性水平提高1~2个数量级(即λ=10~(-6)/h~10~(-7)/h),奠定了重要理论基础。

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