作者:石松耀 ,徐其付 ,徐庆镇 单位:上海钢铁研究所 出版:《上海钢研》1994年第01期 页数:2页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFSHGA1994010060 DOC编号:DOCSHGA1994010069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《HALL电流传感器集束磁芯》PDF+DOC1993年第04期 石松耀 ,熊肇强 ,徐其付 ,韩一定 ,徐庆镇 《开口磁芯的高频电流传感器幅频特性研究》PDF+DOC2015年第11期 李富贵,李春锋,王璇,方福歆,孔海洋,关焕梅 《双霍尔元件磁敏电流传感器的研究》PDF+DOC1992年第05期 于成民,曾永宁,孙仁涛,冯桂华,刘佩瑶,关杰 《磁芯气隙中串联层叠非晶带GMI效应电流传感器》PDF+DOC2009年第09期 鲍丙豪 《无磁芯霍尔效应电流传感器IC的共模场抑制技术》PDF+DOC Alexander Latham 《非晶丝单磁芯双线圈多谐振荡桥弱电流传感器》PDF+DOC2000年第04期 鲍丙豪,杨玉国 《一种新型微小交直流两用电流传感器》PDF+DOC1996年第06期 冯卓明,朱明钧 《基于Ansof的节气门位置传感器磁路动态分析》PDF+DOC2012年第03期 周爱国,陈光明 《钴基非晶磁芯巨磁阻抗效应电流传感器》PDF+DOC2007年第03期 赵湛,鲍丙豪,徐云峰,董钢 《新型非晶磁芯巨磁阻抗效应弱电流传感器》PDF+DOC2006年第04期 鲍丙豪,赵湛,董钢,蒋峰
  • 利用Hall效应制成的Hall电流传感器,其主体由两部分组成,其一为Hall片,其二为束磁芯,为高μi合金切口磁芯。切口磁芯的导磁率μr=1(1/μi+1g/1c),式中,μr为切口磁芯导磁率,μi为封闭环导磁率,Ic为磁路长度(cm),Ig为气隙长度(cm)。当μi>>1时则有μr≈Ic/Ig,开气隙磁芯的剩磁Br∝Ic/Ig·Hc,即Br∝μr·Hc。为准确无误

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