作者:白韶红 单位:中国仪器仪表学会;上海工业自动化仪表研究院 出版:《自动化仪表》1994年第10期 页数:7页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFZDYB1994100000 DOC编号:DOCZDYB1994100009 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
《基于硅硅键合技术的高精度压力传感器的研究》PDF+DOC2017年第05期 李颖,张治国,郑东明,梁峭,张哲,刘剑,祝永峰 《国外当前的光纤压力传感器》PDF+DOC1996年第08期 李开成,叶妙元 《SOI单晶硅压力传感器模拟计算与优化设计》PDF+DOC2003年第01期 倪智琪,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 《一种新型单晶硅SOI高温压力传感器》PDF+DOC2002年第04期 李育刚,姚素英,张生才,赵毅强,张为,张维新 《SOI高温压力传感器的研究》PDF+DOC2006年第04期 张书玉,张维连,索开南,牛新环,张生才,姚素英 《基于MEMS工艺的SOI高温压力传感器设计》PDF+DOC2015年第09期 李丹丹,梁庭,李赛男,姚宗,熊继军 《圆片级叠层键合技术在SOI高温压力传感器中的应用》PDF+DOC2019年第02期 齐虹,丁文波,张松,张林超,田雷,吴佐飞 《多晶硅双岛压力传感器应力分布的模拟计算》PDF+DOC1999年第11期 姚素英,曲宏伟,张维新,毛赣如,李永生 《微型压力传感器薄膜凹槽的制造技术》PDF+DOC2009年第03期 姚瑞楠,刘玉奎,张正元 《基于单晶硅的压阻效应的超小型压力传感器》PDF+DOC2007年第01期 王香文,陈玲
  • 介绍了全SOI工艺和局部SOI工艺的原理、制作过程、特点和应用范围,叙述了SOI压力传感器的发展趋势,重点对SDB、SFB、SOS、SOZ、SIMOX、ZMR等压力传感器的工艺结构、主要技术性能、应用特点等作了较全面的分析,从而得出具有较广阔应用前景的结论。

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