《背面引线压力/氢离子敏传感器的研究》PDF+DOC
作者:牛蒙年,林崴,袁
单位:上海大学
出版:《应用科学学报》1995年第03期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYYKX503.0130
DOC编号:DOCYYKX503.0139
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报道了一种含微参比电极的差分结构,并可与其它敏感元和信号处理电路完全隔离的背面引线氢离子敏感场效应(pH-ISFET)新结构。基于硅的固相键合技术和硅微机械加工技术以及常规N阱MOS工艺,研制成集成压力/pH-ISFET传感器,设计制作了高稳定的可调芯片自恒温系统,经实际工艺流水制成了样管,初步的测量结果证实了这种背面引线、微参比电极、全集成的新结构设计是成功的。
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