作者：丁辛芳,俞海明 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1994年第03期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ403.0160 DOC编号：DOCGTDZ403.0169 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 基于ＳＤＢ／ＳＯＩ材料和硅微机械加工技术，提出了一种含微参比电极和择优差分补偿单元的背面引线ＰＨ－ＩＳＦＥＴ／压力传感器的新结构。并且设计了高稳定的可调芯片自恒温系统，以减少硅材料对温度敏感的效应。这种结构既方便地实现敏感元和信号处理电路的完全隔离，又有效地改善了敏感特性和稳定性。初步实验结果证实了新结构设计是成功的。

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