《非晶硅X-射线探测阵列的研究》PDF+DOC
作者:郑怀德,廖显伯,孔光临,刁宏伟,万旭东,夏传钺,潘广勒,肖君
单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会
出版:《Journal of Semiconductors》1995年第06期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTX506.0060
DOC编号:DOCBDTX506.0069
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研制出a-Si:Hpin型X-射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(Csl)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×;2.5mm2、1.6×;1.6mm2和100×;100μm2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0×;10-12A/mm2(-10mV),光灵敏度~0.35μA/μW(600nm).本文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.
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