作者:郑怀德,廖显伯,孔光临,刁宏伟,万旭东,夏传钺,潘广勒,肖君 单位:中国科学院半导体研究所;中国电子学会 出版:《Journal of Semiconductors》1995年第06期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTX506.0060 DOC编号:DOCBDTX506.0069 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 研制出a-Si:Hpin型X-射线间接探测线阵,它探测的是X-射线在闪光体(Csl)所激发的荧光,制备出单元面积分别为2.5×2.5mm2、1.6×1.6mm2和100×100μm2的16、25、320单元的线阵.器件的暗电流达到1.0×10-12A/mm2(-10mV),光灵敏度~0.35μA/μW(600nm).本文报道了X-射线探测阵列的制备及测试结果.

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