作者: 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1993年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1993020210 DOC编号:DOCCGQJ1993020219 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 24 硅扩散电阻温度传感器的结构与热量的关系 —The structure and heat dependence of Silicon spreading resistance temperature sensors. G.Pasztor. Act. Passive Flectron. compon. (UK), Vol. 13, No. 4, P.237~248(1989) 给出了硅扩散电阻温度传感器的制造方法。该传感器有两个圆形扩散层,并从理论上测定了影响传感器电阻变化的几何图形。文章还给出了一种近似

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