作者：过帆,王炳雪 单位：信息产业部南京电子器件研究所 出版：《光电子技术》1991年第04期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGDJS1991040080 DOC编号：DOCGDJS1991040089 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文叙述了512&#215；456位硅 CCD 面阵摄象传感器的结构和工作原理。它为三相三层多晶硅交叠栅、N 沟帧转移结构.象素单元面积17(H)&#215；24(V)μm~2，摄象区面积7.65&#215；6.14mm~2，垂直和水平的三相驱动栅引出总线采用了较佳的布局，提高了管芯直流性能的完好率，栅的保护结构简单、有效。

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