《硅色敏传感器》PDF+DOC
作者:方怀珍
单位:机械工业信息研究院
出版:《电气时代》1991年第12期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFDQSD1991120190
DOC编号:DOCDQSD1991120199
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半导体材料在受到光照射后,它的许多电学性质会发生变化,这就是光电效应。利用光电效应,可制成各种光传感器,硅色敏传感器就是其中一种。硅色敏传感器的核心部分是光敏二极管,光敏二极管是由一个PN结组成。在无光照射时,反向电流很小,有光照射时,入射到PN结势垒区的光子激发出电子空穴对,使反向电流增大。光敏二极管对光的响应与波长有关。试验表明,不同波长的入射光
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