作者:丁辛芳 ,金恒 ,俞海明 ,张明 ,刘方悟 ,刘桂华 单位:东南大学 出版:《电子器件》1991年第03期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDZQJ1991030040 DOC编号:DOCDZQJ1991030049 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 本文初步探讨了FET型气敏传感器的敏感机理,采用N阱双极MOS兼容工艺,将CO,H_2气敏单元,择优差分型气敏单元、加热单元、温敏单元单片集成,制作了可调高温的具有高稳定输出的芯片自恒温系统,研制出具有良好的选择性和稳定性,较高灵敏度的集成MOS气敏传感器。

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