作者:牟军 单位:北京长城航空测控技术研究所 出版:《测控技术》1991年第01期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFIKJS1991010170 DOC编号:DOCIKJS1991010179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 典型的具有单晶硅膜片的普通硅压阻式压力传感器,通常压力要限定在远小于10倍满量程压力以下。而我们制造了一批传感器,它在膜片下使用一个静止的表面,可使传感器耐受了大于500倍以上的满量程压力。这些传感器采用单晶硅材料,用烧结工艺制成。在低压下硅芯片的灵敏度可高达3mV/V·psi(3mV/V·6.89kPa≈0.435mV/V·1kPa)。已设计出在10psi压力下输出为100mV的传感器,能耐受住5000psi

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