作者:祁增芳,刘俊华,牛文成 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1990年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1990020070 DOC编号:DOCCGQJ1990020079 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • Ag~+-ISFET是一种新型器件。本文报道了该器件的主要研制工艺、工作原理、测试方法。给出了典型的测试电路及测试结果。

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