作者:L.BruceWilner,刘荣贵 单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版:《压电与声光》1990年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYDSG1990010080 DOC编号:DOCYDSG1990010089 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文介绍一种采用硅微加工技术制作的可变电容式加速度传感器.传感器采用了中位面、平面片悬置,气体阻尼和过量程止动.传感器由三块硅基片制成,硅基片采用了阳极粘合技术粘到硅酸盐玻璃镶嵌物上.典型的传感器有效电容为7pF,修正电容为3pF,响应为0.05pF/G,谐振频率为3.4kHz,阻尼临界值为0.7.采用这种传感器的加速度计具有极好的灵敏度和带宽,以及显著的耐冲击性能。

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