作者：王益成 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》1990年第01期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ1990010110 DOC编号：DOCCGQJ1990010119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文论述了用红外法观测硅晶闸管瞬态导通扩展的观测原理，介绍了用光电传感器探测晶闸管扩展速度的几种方法，讨论了近红外视象管内的红外电视法观测晶闸管瞬态导通系统及其工作原理，并对晶闸管的扩展速度进行了观测，实现了利用光电传感器对电力半导体器件的无损检测。

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