《用于肖特基势垒红外传感器的Ir及IrSi膜》PDF+DOC
作者:石光
单位:中国电子科技集团第四十四研究所
出版:《半导体光电》1991年第01期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFBDTG1991010090
DOC编号:DOCBDTG1991010099
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《固态焦平面阵列提高了IR传感器的性能》PDF+DOC1983年第08期 王亚平
《IrSi肖特基势垒红外图象传感器》PDF+DOC1991年第01期 Naoki Yutani,程开富
《固态焦平面阵列发挥了红外传感器的潜力》PDF+DOC1983年第12期 刘昭华
《基于IR方位信息的多普勒盲区跟踪方法研究》PDF+DOC2016年第02期 李成志,孟宏峰,王东江
《杂波环境下基于红外传感器和雷达融合的机动目标跟踪算法》PDF+DOC2006年第02期 刘晨,冯新喜
本文叙述了在 P-Si 基片上,采用物理沉积方法制备高纯 Ir(铱)膜。讨论了在300~1000℃退火温度下,Si-Ir 界面反应形成 IrSi 硅化物的研制技术和工艺参数。分析了界面反应机理、IrSi 膜的光电学特性。最后介绍了 IrSi 在肖特基势垒红外(SBIR)固体传感器研制技术中的应用。
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