作者:石光 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》1991年第01期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG1991010090 DOC编号:DOCBDTG1991010099 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文叙述了在 P-Si 基片上,采用物理沉积方法制备高纯 Ir(铱)膜。讨论了在300~1000℃退火温度下,Si-Ir 界面反应形成 IrSi 硅化物的研制技术和工艺参数。分析了界面反应机理、IrSi 膜的光电学特性。最后介绍了 IrSi 在肖特基势垒红外(SBIR)固体传感器研制技术中的应用。

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