作者:张光照,卢慧斌 单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版:《传感器与微系统》1993年第03期 页数:6页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFCGQJ1993030120 DOC编号:DOCCGQJ1993030129 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 扩散硅压力芯片和硅环基座封接采用金硅共熔工艺,硅环通过引压管和底座封接,整个力敏器件的结构是浮动式,这样大大减小了芯片周围的应力。芯片外面是充满硅油的膜盒腔。扩散硅芯片内引线采用高掺杂浓度导电带,外引线用金丝,热压焊和超声焊相结合,保证接点有良好的导电性能。这些措施减小了压力变送器的时漂,提高了可靠性。变送器的零点和灵敏度热漂移经过外电路补偿后显著降低。通过两种不同的外电路分别组成电压电流输出的压力变送器,在-20~70℃范围内,准确度为±0.5%F.S,输出信号可为0~5V,4~20mA,1~5V。可广泛用于宇航,石油化工等领域测气体、液体介质的压力。

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