作者：赵悦 单位：中国兵工学会;中国兵器工业第二0五研究所 出版：《应用光学》1993年第03期 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYYGX1993030060 DOC编号：DOCYYGX1993030069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 据报道，美国霍索恩的UDT传感器公司现已研制成采用Ge、Si、InGaAs I'MT和光电二极管的三种光电探测前置放大器。UDT-1000A型具有宽动态范围和用于小光量级和减噪声的小输入电流。UDT-1200A型是用于光电导反偏置Si光电二极管的中速设备。UDT1400A型是用反偏置高速光电二极管的耦合电流/电压放大器。它们可用于辐射测量、荧光

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