作者:石仲斌,方大卫 单位:南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版:《固体电子学研究与进展》1992年第01期 页数:5页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFGTDZ1992010160 DOC编号:DOCGTDZ1992010169 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 本文从温控晶闸管结构模型出发,建立一组相应的方程,获得了温控晶闸管导通温度与离子注入剂量的关系。通过精确控制离子注入剂量,器件可以获得预期的导通温度。

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