作者：黄金彪,童勤义 单位：南京电子器件研究所(中电科技集团公司第55所) 出版：《固体电子学研究与进展》1987年第03期 页数：8页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFGTDZ1987030070 DOC编号：DOCGTDZ1987030079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文把硅传感器的发展趋势归纳为三个发展方向：集成化、多功能化和多维化。提出了集成化的三种发展模式：高集成度、中等集成度和低集成度的集成传感器。本文还讨论了硅传感器发展中的两项关键技术：微机械加工技术和封装技术。

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