《新型固体氧传感器》PDF+DOC
作者:吴琼
单位:国家仪表功能材料工程技术研究中心;重庆仪表材料研究所;中国仪器仪表学会仪表材料学会
出版:《功能材料》1988年第02期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGNCL1988020140
DOC编号:DOCGNCL1988020149
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日本日立中央研究所在通产省的资助下,研究出一种新型FET(场效应晶体管)型固体氧传感器。该传感器的结构是在P型硅衬底上制作源极和漏极之后,淀积氧化硅和氮化硅绝缘层,再用溅射法形成氧化钇纯化的氧化锆薄(?),然后在其上制作极薄的铂栅电极而成的FET型固体氧传感器。该传感器是在常温下工作,它具有可测量溶解在水中等的氧的功能,同时还可以在半导体工业中应用。据称,该传感器的研制成功,为离子传感器
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