作者:查贵根 单位:中国电子科技集团第四十五研究所 出版:《电子工业专用设备》1987年第01期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFDGZS1987010010 DOC编号:DOCDGZS1987010019 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 随着LSI的发展,对器件的可靠性要求越来越高,气密封装的器件内部湿度监测需要体积小、稳定性高、响应范围宽的湿度传感器及湿度仪。 中科院上海冶金研究所于86年底对Si—MOS电容湿度传感器和CH电容湿度仪通过技术鉴定。与会专家一致认为,主要性能已达到设计要求,填补了国内空白,其性能与国外同类传感器相当,为我国电子工业的可靠性检测,提供了有效手段。 Si—MOS电容湿度传感器的几何尺寸为2×1.5×0.3mm,有效工作面积1×1mm~2,可封入各种器件的管壳中。气体温度从0.5ppmv到300ppmv时,响应时间3秒,反向减湿时间≤7秒。

    提示:百度云已更名为百度网盘(百度盘),天翼云盘、微盘下载地址……暂未提供。