作者：阎永志,王德和,高希才,张永明,杨晓春,王昕 单位：中国电子科技集团公司第二十六研究所 出版：《压电与声光》1986年第01期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFYDSG1986010030 DOC编号：DOCYDSG1986010039 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 最近已研制成功一种利用Bi_4Ge_3O_(12)单晶电光效应的光纤电压电场传感器。这种传感器体积小(12&#215；14&#215；26mm)，输入阻抗高(&gt；10~4MΩ)，测量范围广(50V/cm—20kV/cm)，可用于高电压，高场强的检测。本文对这种传感器的原理、特性和应用作了一定的评价和讨论。

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