《东芝开发采用非晶硅膜的200万个象素CCD图象传感器》PDF+DOC
作者:盛柏桢
单位:信息产业部南京电子器件研究所
出版:《光电子技术》1989年第01期
页数:1页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFGDJS1989010180
DOC编号:DOCGDJS1989010189
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日本东芝公司已开发完成非晶硅膜(a-Si膜),高灵敏度200万个象素CCD图象传感器。现在的CCD传感器的光电转换部和电信号(电荷)传送部在同一硅片上。因此,若要增加象素,接受光时,转换成电信号的光电转换部面积减少,随之,灵敏度和动态范围下降。该公司所开发的传感器采用均匀形成高灵敏度非晶硅膜的双层新结构。因此,在象素中,受光部所占的比率(开口率)为100%,把光转换成电信号的转换效率与现在的20~40%
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