作者：刘存 ,孙立华 单位：沈阳工业大学 出版：《沈阳工业大学学报》1987年第02期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSYGY1987020110 DOC编号：DOCSYGY1987020119 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 本文首先建立了扩散硅压力敏感器件的数学模型，进而讨论了一种可同时获得高精度宽温度范围的方法。所得结果与实验相符。

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