作者：田兴 单位：新疆大学 出版：《新疆大学学报(自然科学版)(中英文)》1989年第04期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFXJDZ1989040100 DOC编号：DOCXJDZ1989040109 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 对采用p型GaAlAs/GaAs双异质结构半导体材料作为光纤温度传感器的荧光辐射功率进行了理论分析和数值计算，计算结果与文献报道的实验数据符合较好。

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