作者：李雨佳,杨拥军,任臣,刘德盟 单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 出版：《微纳电子技术》2016年第04期 页数：7页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFBDTQ2016040060 DOC编号：DOCBDTQ2016040069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 设计了一款集成于微电子机械系统(MEMS)器件专用集成电路(ASIC)的数字输出CMOS温度传感器。该温度传感器主要由温度敏感电路、一阶Σ-Δ调制器以及配套的偏置电路和时钟产生电路组成。通过分析和建模仿真，确定信号的比例系数和其他设计参数，优化调制器的动态范围，提高了精度。利用斩波技术减少运算放大器低频噪声。通过对运算放大器和比较器电路的合理设计来降低功耗。该单片集成温度传感器电路采用0.18μm CMOS工艺制造。测试结果表明，-45~85℃下电源电压为1.8 V、采样时钟频率为200 kHz、设置带宽为98 Hz时过采样率为1 024，此温度传感器分辨率达到0.03℃，功耗为0.18 mW。

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