作者：吴茂林 单位：上海市电子学会;上海市通信学会 出版：《》 页数：1页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDZJS1989110060 DOC编号：DOCDZJS1989110069 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 日本工业技术院电子技术综合研究所研制成一种微小的霍尔元件，其大小仅为0.25μm。以前使用掩膜的方法，由于受掩膜加工及注入离子的限制，元件的大小被限制在2～5μm，为了克服这些困难，该研究所不使用掩膜，直接用离子束扫描电路，越是缩小离子束的束径，就越能制作微小的霍尔元件。其制作方法是：先在砷化镓芯片上用光石印术刻

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