作者：廖忠恂 单位：中国科学院上海光学精密机械研究所 出版：《激光与光电子学进展》1985年第09期 页数：4页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGDJ1985090070 DOC编号：DOCJGDJ1985090079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 1.引言半导体激光器与气体和固体激光器相比有一系列的优点。其中包括体积小，能够在注入电流上进行直接宽带调制、效率高。主要缺点是工作点的温度与发射波长有着密切的相关性。图1示出AlGaAs激光器(日立HL7801E)的发射光功率和温度的关系。激光二极管在特性曲线的陡部发出相干光，外壳温度变化10K在此就会产生1mW的光功率变化；在工作点P=2mW时光功率就

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