作者: 单位:中国电子科技集团第四十四研究所 出版:《半导体光电》1988年第02期 页数:4页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFBDTG1988020200 DOC编号:DOCBDTG1988020209 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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  • 要在Si衬底上制作GaAs及其它Ⅲ—Ⅴ族材料,面临两个主要问题:一个是非极化单晶上生长单一极化单晶的问题;另一个是Ga_(0.47)In_(0.53)As与Si之间大的晶格失配(Δa/a~3%)问题。英国Plesey公司报导了采用大气MOCVD在Si上生长出Ga_(0.47)In)_(0.35)

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