作者： 单位：华北光电技术研究所 出版：《激光与红外》1981年第09期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFJGHW1981090270 DOC编号：DOCJGHW1981090279 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 红外技术9001硅掺鉍：长波红外用非本征探测器Bismuth-doped Silicon：an extrinsic detector，C.M.Parry，Aerojet，Proc.SPIE Vol.244，Mosa-ic Focal Plane Method.2-8，1980.介绍这种光导红外探测器材料的基本特性。硅掺鉍作为n型材料可替代目前广泛使用的P型掺镓材料。9002混合非本征硅焦平面设计Hybrid extrinsic silicon focal plane archite-cture，D.H.Pommerrenig，Rockwell，Proc SPIE V.244，Mosaic Focal Plane Method.9-12，1980.大面积焦平面需要进行机械装配，进行机械装配时必须作光学对准，死角要尽量减小，并满足低温要

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