《产种介绍》PDF+DOC
作者:赵宇辉
单位:中国电子科技集团公司第四十九研究所
出版:《传感器与微系统》1984年第01期
页数:2页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFCGQJ1984010110
DOC编号:DOCCGQJ1984010119
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《扩展到可见光波段的磁阻效应增强型光电传感器》PDF+DOC2001年第09期 黄钊洪
《磁电阻效应的原理及其应用》PDF+DOC2008年第03期 张海峰,刘晓为,王喜莲,霍明学
《磁阻效应增强型锑化铟红外光电传感器》PDF+DOC2001年第04期 黄钊洪
《非晶磁性材料的磁阻抗(MI)效应》PDF+DOC2001年第05期 冯则坤,何华辉
《实用光电传感器》PDF+DOC1996年第05期 盛炜放
《薄膜磁阻传感器及其应用(续)》PDF+DOC1994年第04期 过璧君
《无接触磁敏传感器》PDF+DOC1991年第06期 吴锡培,吴显峰
《金属薄膜磁阻传感器及其应用》PDF+DOC1984年第06期 刘殿臣
《基于InSb-In薄膜磁阻元件电流传感器的应用》PDF+DOC2007年第Z1期 陈科球,黄钊洪
《锑化铟磁阻型红外光电传感器及其特性研究》PDF+DOC2006年第S5期 吴闽,黄钊洪
日本三洋电机公司、新研制了一种MS—F超小型磁阻传感器,它是在永久磁铁产生的磁场中配置锑化铟磁阻元件,然后用树脂封装在金属盒里,能以高灵敏度检出微小的磁性。 与以前的磁阻传感器比,其体积为原
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