作者:董世章 单位:沈阳仪表科学研究院有限公司 出版:《仪表技术与传感器》1974年第04期 页数:1页  (PDF与DOC格式可能不同) PDF编号:PDFYBJS1974040170 DOC编号:DOCYBJS1974040179 下载格式:PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
  • 美国原子能委员会70年发表了一篇关于压电场效应应变片的研究报告。它们已制成了一种实验性器件,这种器件是在一种磨光的PZT-4型陶瓷基片上,沉积一层厚度为200(?)的半导体碲膜,器件的应变系数高于3700。由于半导体的不稳定性,因此,这种器件日前还仅用于动态应变测量方面。

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