作者：王增铎,王岐山,刘宇京 单位：哈尔滨理工大学 出版：《哈尔滨理工大学学报》1982年第02期 页数：10页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHLGX1982020040 DOC编号：DOCHLGX1982020049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 文中介绍了依“磁场理论”设计LVDT的基本原理。通过对样机的大量测试数据分析，指出高精度LVDT线性度的主要影响因素是：线圈参数、铁芯参数、工艺水平。并且首次提出了磁罩问题。

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