《文摘选辑》PDF+DOC
作者:
单位:中国电子科技集团公司第二十六研究所
出版:《压电与声光》1981年第02期
页数:4页 (PDF与DOC格式可能不同)
PDF编号:PDFYDSG1981020290
DOC编号:DOCYDSG1981020299
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(一)单晶和薄膜材料051 PbMoO_4固相合成的机理和条件——(Tkachenko E.V.)《Zh.Neorg.Khim》25 6(1980)1443—8研究了在450—650℃及~1-10~(-8)大气压下钼酸铅的固相合成机理和动力学.在PbO-MoO_3、PbO-PbMoO_4(系统Ⅰ)及MoO_3-Pb_2MoO_5(系统Ⅱ)中的反应,涉及扩散,主要是Mo离子的迁移.系统Ⅰ和Ⅱ分别在750℃及670℃形成低共熔体。
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