作者： 单位：中国航天科工集团公司第三研究院第八三五八研究所 出版：《红外与激光工程》1977年第Z2期 页数：9页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFHWYJ1977Z20000 DOC编号：DOCHWYJ1977Z20009 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 已为直径达到6毫米的冷却的本征锗光电二极管研制出的正反馈电路，其噪声等效功率(NEP)(1.42，500，1)可达10~(-14)瓦&#183；赫~(-1/2)或更好些。这些电路用硅光电二极管和试验电容器，在室温下作了试验；证明这些电路用一种电容传感器当作主要电路元件来使用的假设是有道理的。电路无反馈时，半功率频率有2—3赫，带宽增大因数常常大于400，而不减低原来的噪声等效功率。这种技术也适用于低频。

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