作者：闫茜,姚素英,高志远,李新伟,徐江涛 单位：中国电子科技集团公司第四十九研究所 出版：《传感器与微系统》2016年第11期 页数：3页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGQJ2016110280 DOC编号：DOCCGQJ2016110289 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 介绍了一种经过抗辐射设计加固的CMOS数字像素图像传感器，并提出了一种可以抵抗单粒子效应的使能检测单元。这个使能检测单元通过将信号传输给三个移位寄存器并判断寄存器输出是否一致来判断和屏蔽单粒子效应。实验结果表明：芯片的最大信噪比和动态范围分别是54.15 d B和56.10 d B，使能检测单元可以屏蔽单粒子效应。

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