作者：商德春 单位：中国电子学会 出版：《电波科学学报》2020年第05期 页数：6页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFDBKX2020050040 DOC编号：DOCDBKX2020050049 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 为了解决太赫兹波段近场传感器分辨率低和成本高的问题，提出了一种高图像分辨率、高集成度的传感器设计方案.该330 GHz传感器基于55 nm互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor， CMOS)工艺仿真实现，由330～336 GHz调谐范围的单端输出环形振荡器、宽带谐振器和功率探测器在单一硅片下集成.仿真结果表明，环形振荡器在偏置电压为2 V时达到峰值输出功率0.9 dBm@330 GHz，即1.23 mW.根据振荡器调谐范围，设计了一个宽带谐振器用于对待测物进行近场感测，通过放置不同介电常数的物体于其顶端表面，再通过探测器读出输出电压，与未放置物体时探测器的输出电压的差值即为该传感器的响应.此单片集成的传感器可以在单片上实现太赫兹照明、探测、传感以及成像功能，在未来太赫兹近场成像领域有较强的应用潜力。

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