作者：刘子豪,彭立安,冶小芳,贾翠萍 单位：青岛科技大学 出版：《山东化工》2020年第18期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFSDHG2020180290 DOC编号：DOCSDHG2020180299 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑
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    • 氧化铟具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性，是一种重要的n型半导体。氧化铟材料对氧化性气体和还原性气体都表现出良好的气敏性能，被广泛应用于半导体气体传感器。半导体气体传感器的性能，如灵敏度、选择性、稳定性、响应/恢复时间等，与气敏材料自身的理化性能、形貌、结构具有直接的关系。本文对近年来纳米结构的In_2O_3研究进展进行了综述，以In_2O_3纳米材料的制备方法以及所制备出的不同形貌结构进行分类介绍，对In_2O_3气敏传感器应用进行展望。

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