作者：陆江,王立新 单位：北京信息科技大学 出版：《传感器世界》2008年第05期 页数：5页  （PDF与DOC格式可能不同） PDF编号：PDFCGSJ2008050070 DOC编号：DOCCGSJ2008050079 下载格式：PDF + Word/doc 文字可复制、可编辑

    • 随着硅集成电路制造工艺和设计工具的快速发展，硅霍尔传感器性能得到大幅度提高，特别是近年来采用了“斩波”动态失调消除、微功耗、可编程等一系列新技术，使产品的稳定性、工作温度范围、磁场灵敏度等方面得到显著改进。本文介绍了BiCMOS霍尔传感器产品采用的最新设计制造技术及其基本原理。

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